通过在芯片运算的关键时刻制造纳秒级的电源电压骤降或过压，破坏逻辑门电路的建立/保持时间，诱发数据锁存错误。

• 双模式注入：Crowbar短路、可编程电压输出
• 高精度控制：毛刺宽度4ns、触发延迟8ns
• 宽幅驱动：-6V~6V电压范围、1.5A电流驱动
• 组合攻击：同步输出，可协同时钟和电磁同步注入

通过瞬间改变时钟信号频率制造时序违规，使处理器在指令执行过程中产生跳过或误读。

• 频率能力：步进精度1kHz、最高250MHz输出
• 多源融合：4路独立可调时钟源、动态快速切换
• 灵活适配：多档位（1.8v - 5.0v）输出电平调节
• 组合攻击：同步输出，可协同电压和电磁同步注入

通过近场探头发射高强度电磁脉冲，在芯片内部电路中感应瞬态电流，以非接触方式扰动目标区域的逻辑状态。

• 瞬时高能：最大电压500V、最大电流70A
• 注采一体：实时观测脉冲注入效果
• 精细调节：能量范围 (1% ~ 100%) 连续可调
• 组合攻击：同步输出，可协同时钟和电压同步注入

通过聚焦激光束照射芯片裸核，利用光电效应在目标晶体管中产生光生载流子，实现微米级空间分辨率的精确位翻转。

• 全景导航：自动化版图拼接，基于版图实现微米级精确定位
• 双波段光源：1064nm/808nm，峰值功率可达20W，微米级光斑尺寸
• 透视作业：红外照明透视硅衬底，支持芯片背部攻击
• 安全防护：多重互锁机制，保障操作人员安全